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首页 全部分类 NTTFS4932NTWG vs BSC883N03LSGATMA1

NTTFS4932NTWG备选型号: BSC883N03LSGATMA1

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTTFS4932NTWG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    SILICON
    11A Ta 79A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    8
    S-XDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    15.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    3111pF @ 15V
    46.5nC @ 10V
    22.6ns
    30V
    ±20V
    4.8 ns
    79A
    20V
    11A
    0.0055Ohm
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC883N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON
    -
    39 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    8
    SILICON
    17A Ta 98A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    -
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    6.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2800pF @ 15V
    34nC @ 10V
    4.4ns
    34V
    ±20V
    4 ns
    98A
    20V
    17A
    -
    34V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    OptiMOS™
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    FLAT
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2.2V
    392A
    50 mJ
    无SVHC
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