NTTFS4932NTWG备选型号: IPD040N03LGBTMA1
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 供应商器件包装
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFNACTIVE (Last Updated: 4 days ago)18 Weeks表面贴装8-PowerWDFNYES8SILICON11A Ta 79A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUAL8S-XDSO-N5Single增强型MOSFETDRAIN15.5 nsN-ChannelSWITCHING4m Ω @ 20A, 10V2.2V @ 250μA3111pF @ 15V46.5nC @ 10V22.6ns30V±20V4.8 ns79A20V11A0.0055Ohm30V无ROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3-12 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-3-90A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2008--不用于新设计1 (Unlimited)------Single--7.4 nsN-Channel-4mOhm @ 30A, 10V2.2V @ 250μA3900pF @ 15V38nC @ 10V-30V±20V-90A20V----ROHS3 Compliant-表面贴装PG-TO252-3-11OptiMOS™175°C-55°C30V3.9nF4mOhm4 mΩ2.41mm6.73mm6.22mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS4946NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET NFET SO8FL 30V TR | 对比 | |
![]() | BSC883N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON | 对比 |
![]() | IPD040N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | 对比 |




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