NUS3116MTR2G备选型号: DMP58D0LFB-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 功能
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 额定输入电压
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 附加功能
- 引脚数量
- 配置
- 通道数量
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- IC MOSFET MAIN SW DUAL BJT 8-DFNLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)表面贴装表面贴装8-WDFN Exposed Pad8SILICON1-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yesObsolete1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)BOTTOM无铅未说明未说明NUS3116电源管理不合格Single增强型MOSFET1.7WSWITCHINGP-CHANNEL-12V-4.4A5.47A-12VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR32mOhm符合RoHS标准无铅-------------------
- Trans MOSFET P-CH 50V 0.31A Automotive 3-Pin DFN T/R-表面贴装表面贴装3-UFDFN3SILICON180mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e4yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)BOTTOM-26040----增强型MOSFET1.22WSWITCHING--310mA--50V--ROHS3 Compliant-19 WeeksHIGH RELIABILITY3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1DRAIN30.7 nsP-Channel8 Ω @ 100mA, 5V2.1V @ 250μA27pF @ 25V84.1ns50V±20V32.2 ns20V8Ohm无SVHC无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN6040SFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R | 对比 |
![]() | DMP58D0LFB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | Trans MOSFET P-CH 50V 0.31A Automotive 3-Pin DFN T/R | 对比 |
| FDME1023PZT | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-UFDFN Exposed Pad | MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench | 对比 |





哦! 它是空的。