NUS3116MTR2G备选型号: DMP58D0LFB-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 功能
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 额定输入电压
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • 配置
  • 通道数量
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    IC MOSFET MAIN SW DUAL BJT 8-DFN
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-WDFN Exposed Pad
    8
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    未说明
    NUS3116
    电源管理
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.7W
    SWITCHING
    P-CHANNEL
    -12V
    -4.4A
    5.47A
    -12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    32mOhm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    Trans MOSFET P-CH 50V 0.31A Automotive 3-Pin DFN T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    3-UFDFN
    3
    SILICON
    180mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    BOTTOM
    -
    260
    40
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.22W
    SWITCHING
    -
    -
    310mA
    -
    -50V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    19 Weeks
    HIGH RELIABILITY
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    DRAIN
    30.7 ns
    P-Channel
    8 Ω @ 100mA, 5V
    2.1V @ 250μA
    27pF @ 25V
    84.1ns
    50V
    ±20V
    32.2 ns
    20V
    8Ohm
    无SVHC
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