ON Semiconductor NUS3116MTR2G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-WDFN Exposed Pad

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

NUS3116

功能

电源管理

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.7W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

额定输入电压

-12V

连续放电电流(ID)

-4.4A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.47A

漏源击穿电压

-12V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

32mOhm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅