NUS3116MTR2G备选型号: FDME1023PZT
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 功能
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 额定输入电压
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 质量
- 系列
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- IC MOSFET MAIN SW DUAL BJT 8-DFNLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)表面贴装表面贴装8-WDFN Exposed Pad8SILICON1-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yesObsolete1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)BOTTOM无铅未说明未说明NUS3116电源管理不合格Single增强型MOSFET1.7WSWITCHINGP-CHANNEL-12V-4.4A5.47A-12VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR32mOhm符合RoHS标准无铅--------------------------
- MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrenchACTIVE (Last Updated: 1 day ago)表面贴装表面贴装6-UFDFN Exposed Pad6SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009e4yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)-------Dual增强型MOSFET1.3WSWITCHING--2.6A--20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR-ROHS3 Compliant-16 Weeks25.2mgPowerTrench®ESD PROTECTION1.4WDRAIN4.7 ns600mW2 P-Channel (Dual)142m Ω @ 2.3A, 4.5V1V @ 250μA405pF @ 10V7.7nC @ 4.5V4.8ns20V16 ns-600mV8V逻辑电平门-600 mV75 pF500μm1.6mm1.6mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN6040SFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R | 对比 |
![]() | DMP58D0LFB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | Trans MOSFET P-CH 50V 0.31A Automotive 3-Pin DFN T/R | 对比 |
| FDME1023PZT | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-UFDFN Exposed Pad | MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench | 对比 |





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