Diodes Incorporated DMP58D0LFB-7

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-UFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

180mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

470mW Ta

Turn Off Delay Time

201.8 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.22W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

30.7 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8 Ω @ 100mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

27pF @ 25V

上升时间

84.1ns

漏源电压 (Vdss)

50V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

32.2 ns

连续放电电流(ID)

310mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

8Ohm

漏源击穿电压

-50V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant