NUS5531MTR2G备选型号: DMN2016LFG-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 应用
- 额定电流
- 端子位置
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 集电极电流-最大值(IC)
- 最小直流增益(hFE)
- 漏源电阻
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 电阻
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 参考标准
- JESD-30代码
- 通道数量
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- MOSFET/BJT SGL P-CH 12V 8-WDFNOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装8-WDFN Exposed Pad81Tape & Reel (TR)2008e3yesObsolete1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)150°C-55°C通用型2A PNP 5.47A P-ChannelDUAL8Single增强型MOSFET1.46WDRAIN8 nsSWITCHING17.5ns17.5 nsPNP, P-Channel5.47A8V4.4A12VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR2A15032mOhm无符合RoHS标准无铅--------------------
- MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN-表面贴装表面贴装8-PowerUDFN82Tape & Reel (TR)2012e4yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)------Dual增强型MOSFET--2.6 nsSWITCHING13.2ns46.8 ns-5.2A8V--METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR---无ROHS3 Compliant无铅16 WeeksSILICON-55°C~150°C TJ18mOhmHIGH RELIABILITY770mW26040DMN2016LAEC-Q101S-PDSO-N522 N-Channel (Dual) Common Drain18m Ω @ 6A, 4.5V1.1V @ 250μA1472pF @ 10V16nC @ 4.5V20V逻辑电平门无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP1245UFCL-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerUFDFN | MOSFET 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF | 对比 |
![]() | DMN2016LFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerUDFN | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN | 对比 |
![]() | NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-VDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | 对比 |






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