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首页 全部分类 NVMFD5875NLT1G vs NVMFS5C670NLT1G

NVMFD5875NLT1G备选型号: NVMFS5C670NLT1G

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  • 端子表面处理
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  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NVMFD5875NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    3.2W
    not_compliant
    3.2W
    2 N-Channel (Dual)
    33m Ω @ 7.5A, 10V
    3V @ 250μA
    540pF @ 25V
    20nC @ 10V
    60V
    7A
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS5C670NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 14 hours ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    not_compliant
    -
    N-Channel
    6.1m Ω @ 35A, 10V
    2V @ 250μA
    1400pF @ 25V
    20nC @ 10V
    60V
    71A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    17A Ta 71A Tc
    5
    DUAL
    FLAT
    AEC-Q101
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    60ns
    ±20V
    4 ns
    2V
    20V
    440A
    60V
    166 mJ
    无SVHC
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