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首页 全部分类 NVMFS4C01NT1G vs IRF6718L2TRPBF

NVMFS4C01NT1G备选型号: IRF6718L2TRPBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVMFS4C01NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    49A Ta 319A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    29 ns
    N-Channel
    0.9m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    10144pF @ 15V
    139nC @ 10V
    68ns
    30V
    ±20V
    36 ns
    319A
    20V
    0.00095Ohm
    900A
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6718L2TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L6
    13
    SILICON
    61A Ta 270A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e1
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    7
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    -
    -
    R-XBCC-N7
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    67 ns
    N-Channel
    0.7m Ω @ 61A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6500pF @ 13V
    96nC @ 4.5V
    140ns
    -
    ±20V
    53 ns
    61A
    20V
    0.0007Ohm
    490A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    EAR99
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    Single
    4.3W
    SWITCHING
    270A
    25V
    530 mJ
    508μm
    9.144mm
    7.1mm
    无
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