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首页 全部分类 NVMFS4C01NT1G vs STL220N3LLH7

NVMFS4C01NT1G备选型号: STL220N3LLH7

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  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • ON Semiconductor
    NVMFS4C01NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    49A Ta 319A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    29 ns
    N-Channel
    0.9m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    10144pF @ 15V
    139nC @ 10V
    68ns
    30V
    ±20V
    36 ns
    319A
    20V
    0.00095Ohm
    900A
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL220N3LLH7
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    220A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    55 ns
    N-Channel
    1.1m Ω @ 25A, 10V
    2.2V @ 250μA
    8650pF @ 25V
    46nC @ 4.5V
    115ns
    -
    ±20V
    51 ns
    220A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    EAR99
    810μOhm
    未说明
    未说明
    STL220
    Single
    30V
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