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NVMFS6B14NLT1G备选型号: NVMFS5C670NLT1G
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 参考标准
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
MOSFET N-CH 100V 11A DFN5ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)38 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON11A Ta 55A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012015e3yes活跃1 (Unlimited)5Tin (Sn)DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel13m Ω @ 20A, 10V3V @ 250μA1680pF @ 25V8nC @ 4.5V100V±16V55A3V0.019Ohm140A100V29 mJ无SVHCROHS3 Compliant无铅------- MOSFET N-CH 60V 71A SO8FLACTIVE, NOT REC (Last Updated: 14 hours ago)38 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON17A Ta 71A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-2015e3yesDiscontinued1 (Unlimited)5-DUALFLAT-not_compliant-R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel6.1m Ω @ 35A, 10V2V @ 250μA1400pF @ 25V20nC @ 10V60V±20V71A2V-440A60V166 mJ无SVHCROHS3 Compliant无铅TinAEC-Q10111 ns60ns4 ns20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UFDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN | 对比 |
| NTMFS6B14NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | ON SEMICONDUCTOR NTMFS6B14NT1G MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 100 V, 0.0122 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| NVMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL | 对比 |
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