NVTFS4824NTAG备选型号: FDMS0309AS
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 质量
- 系列
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFNACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)23 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8SILICON18.2A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT8R-PDSO-F5Single增强型MOSFET3.2WDRAIN12 nsN-Channel4.7m Ω @ 23A, 10V2.5V @ 250μA无卤素1740pF @ 12V14nC @ 4.5V27ns30V±20V6 ns46A20V0.0075Ohm402A30V72 mJ750μm3.15mm3.15mm无ROHS3 Compliant无铅----------
- MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/ServerACTIVE (Last Updated: 2 days ago)18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON2.5W Ta 50W Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99-DUALFLAT-R-PDSO-F5Single增强型MOSFET2.5WDRAIN11 nsN-Channel3.5m Ω @ 21A, 10V3V @ 1mA-3000pF @ 15V47nC @ 10V4.5ns-±20V3.7 ns49A20V0.0035Ohm--66 mJ----ROHS3 Compliant-Tin68.1mgPowerTrench®, SyncFET™260not_compliant301SWITCHINGMO-240AA30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH7936TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN | 对比 |
![]() | IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-VQFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | 对比 |
![]() | IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 16A PQFN | 对比 |





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