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NX7002BKMBYL备选型号: DMN62D0LFD-7
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 宽度
- 高度
- 长度
- 辐射硬化
NX7002BKMB - 60 V, N-channel Trench MOSFET8 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN3SILICON350mA Ta2.1V @ 250μA2014-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™活跃1 (Unlimited)3逻辑电平兼容BOTTOM无铅未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING2.8 Ω @ 200mA, 10V23.6pF @ 10V1nC @ 10V60V±20V350mA60VROHS3 Compliant------------
MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN-表面贴装表面贴装3-UDFN3-480mW Ta1V @ 250μA2014-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)----26030---N-Channel-2 Ω @ 100mA, 4V31pF @ 25V500nC @ 4.5V60V±20V310mA-ROHS3 Compliante4EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)Single2.6 ns2.1ns8.7 ns20V1.25mm480μm1.25mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN62D0LFD-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-UDFN | MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN | 对比 |
| DMN62D0SFD-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-UDFN | Trans MOSFET N-CH 60V 0.54A 3-Pin DFN T/R | 对比 |
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