Diodes Incorporated DMN62D0SFD-7

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-UDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

540mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

430mW Ta

Turn Off Delay Time

16 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

3.95 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

30.2pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.87nC @ 10V

上升时间

3.81ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9.04 ns

连续放电电流(ID)

540mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.54A

漏极-源极导通最大电阻

0.002Ohm

漏源击穿电压

60V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant