NX7002BKMBYL
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Nexperia USA Inc. NX7002BKMBYL

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型号

NX7002BKMBYL

utmel 编号

1729-NX7002BKMBYL

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

3-XFDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NX7002BKMB - 60 V, N-channel Trench MOSFET

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NX7002BKMBYL
NX7002BKMBYL Nexperia USA Inc. NX7002BKMB - 60 V, N-channel Trench MOSFET

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NX7002BKMBYL详情

Nexperia USA Inc. NX7002BKMBYL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    3-XFDFN

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    350mA Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    5V 10V

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    2.1V @ 250μA

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    350mW Ta 3.1W Tc

  • 已出版

    2014

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchMOS™

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.8 Ω @ 200mA, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    23.6pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    350mA

  • DS 击穿电压-最小值

    60V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Nexperia USA Inc. NX7002BKMBYL.

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右边的3个型号有着和Nexperia USA Inc. & NX7002BKMBYL相似的参数规格。

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NX7002BKMBYL拓展信息

BUK98150-55A/CUF
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Nexperia USA Inc.

NX3008NBKW,115
NX3008NBKW,115

Nexperia USA Inc.

BSH205G2R
BSH205G2R

Nexperia USA Inc.

PMV40UN2R
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Nexperia USA Inc.

PMV65XP,215
PMV65XP,215

Nexperia USA Inc.

PSMN075-100MSEX
PSMN075-100MSEX

Nexperia USA Inc.

BSN20BKR
BSN20BKR

Nexperia USA Inc.

PMV30UN2R
PMV30UN2R

Nexperia USA Inc.

PMV250EPEAR
PMV250EPEAR

Nexperia USA Inc.

NX3020NAKW,115
NX3020NAKW,115

Nexperia USA Inc.

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