Nexperia USA Inc. NX7002BKMBYL
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NX7002BKMBYL
1729-NX7002BKMBYL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-XFDFN
大陆
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NX7002BKMB - 60 V, N-channel Trench MOSFET
--最小包装量--
NX7002BKMBYL详情
Nexperia USA Inc. NX7002BKMBYL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XFDFN
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
350mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.1V @ 250μA
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
350mW Ta 3.1W Tc
已出版
2014
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.8 Ω @ 200mA, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
23.6pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
350mA
DS 击穿电压-最小值
60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NX7002BKMBYL拓展信息
Nexperia USA Inc.
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