PD54003L-E备选型号: NTD23N03RT4G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 增益
- 最大输出功率
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 电压-测试
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- 无铅代码
- 终端形式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT表面贴装8-PowerVDFN141Tape & Reel (TR)e3Obsolete3 (168 Hours)5EAR99哑光锡150°C-65°CHIGH RELIABILITY7V19.5WQUAD2604A500MHz30PD540035S-PQCC-N5Single增强型MOSFETSOURCE50mAAMPLIFIER25VN-CHANNELLDMOS4A15V20dB3W4AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR7.5V无ROHS3 Compliant无铅-------------------
- MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6343.8A Ta 17.1A TcTape & Reel (TR)e3Obsolete1 (Unlimited)2-Tin (Sn)---25V---23A---4R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAIN-SWITCHING---23A20V--3.8A--无符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)表面贴装SILICON-55°C~150°C TJ2009yes鸥翼22.3W2 nsN-Channel45m Ω @ 6A, 10V2V @ 250μA225pF @ 20V3.76nC @ 4.5V14.9ns±20V2 ns0.06Ohm25V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PD84006L-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | 8-PowerVDFN | FET RF 25V 870MHZ | 对比 |
| PMN55LN,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-74, SOT-457 | MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP | 对比 | |
![]() | PD54008L-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | 8-PowerVDFN | TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT | 对比 |




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