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PD54003L-E备选型号: PMN55LN,135

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  • 辐射硬化
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  • 安装类型
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  • 终端形式
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  • 配置
  • 场效应管类型
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  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • STMicroelectronics
    PD54003L-E
    STMicroelectronics
    TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    14
    1
    Tape & Reel (TR)
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    5
    EAR99
    哑光锡
    150°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    7V
    19.5W
    QUAD
    260
    4A
    500MHz
    30
    PD54003
    5
    S-PQCC-N5
    Single
    增强型MOSFET
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    25V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    4A
    15V
    20dB
    3W
    4A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    7.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMN55LN,135
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP
    -
    SC-74, SOT-457
    -
    4.1A Tc
    Tape & Reel (TR)
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    DUAL
    未说明
    -
    -
    未说明
    -
    6
    R-PDSO-G6
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    SWITCHING
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    4.1A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    表面贴装
    SILICON
    1997
    TrenchMOS™
    -55°C~150°C TJ
    8541.29.00.75
    鸥翼
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    65m Ω @ 2.5A, 10V
    2V @ 1mA
    500pF @ 20V
    13.1nC @ 10V
    ±15V
    0.065Ohm
    20V
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