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首页 全部分类 PD84006L-E vs IRFML8244TRPBF

PD84006L-E备选型号: IRFML8244TRPBF

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  • 辐射硬化
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  • 晶体管元件材料
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
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  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    PD84006L-E
    STMicroelectronics
    FET RF 25V 870MHZ
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    14
    1
    Cut Tape (CT)
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    哑光锡
    150°C
    -65°C
    31W
    DUAL
    225
    5A
    870MHz
    PD84006
    8
    S-PDSO-N8
    Single
    增强型MOSFET
    31W
    SOURCE
    150mA
    AMPLIFIER
    25V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    5A
    15V
    15dB
    6W
    5A
    25V
    2W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    7.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFML8244TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    5.8A Ta
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    DUAL
    260
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    1.25W
    -
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    5.8A
    20V
    -
    -
    -
    25V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    SILICON
    Micro3
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    2008
    41MOhm
    鸥翼
    30
    2.7 ns
    N-Channel
    24m Ω @ 5.8A, 10V
    2.35V @ 10μA
    430pF @ 10V
    5.4nC @ 10V
    2.1ns
    ±20V
    2.9 ns
    1.7V
    24A
    17 ns
    1.7 V
    1.02mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
    无铅
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