PMCPB5530X,115备选型号: DMP3098L-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 质量
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 电压
- 电流
- 功率耗散
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- 关断时间-最大值(toff)
- 接通时间-最大值(ton)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON8 Weeks表面贴装6-UDFN Exposed PadYES6SILICON4A Ta 3.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3活跃1 (Unlimited)6Tin (Sn)490mW62Dual增强型MOSFETDRAIN4 nsN and P-ChannelSWITCHING34m Ω @ 3A, 4.5V900mV @ 250μA660pF @ 10V21.7nC @ 4.5V15nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL16 ns3.4A-650mV4A0.034Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR无ROHS3 Compliant无铅--------------------
- Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R16 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YES3SILICON3.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3活跃1 (Unlimited)3---1Single增强型MOSFET-6 nsP-ChannelSWITCHING70m Ω @ 3.8A, 10V-336pF @ 25V-5ns-5 ns3.8A20V----无ROHS3 Compliant无铅Tin7.994566mg2.1V @ 250μAyesEAR9970mOhmHIGH RELIABILITYDUAL鸥翼30V38A1.08W±20V-1.8V54.2ns22ns1mm2.9mm1.3mm无SVHC
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMDPB38UNE,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 | 对比 |
![]() | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
![]() | PMV28UN,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23 | 对比 |





哦! 它是空的。