Nexperia USA Inc. PMCPB5530X,115

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta 3.4A Ta

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

490mW

引脚数量

6

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

34m Ω @ 3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

660pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21.7nC @ 4.5V

上升时间

15ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

3.4A

栅极至源极电压(Vgs)

-650mV

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.034Ohm

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅