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PMCPB5530X,115备选型号: PMDPB38UNE,115
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 功率 - 最大
- 漏源电压 (Vdss)
- 场效应管特性
MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON8 Weeks表面贴装6-UDFN Exposed PadYES6SILICON4A Ta 3.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3活跃1 (Unlimited)6Tin (Sn)490mW62Dual增强型MOSFETDRAIN4 nsN and P-ChannelSWITCHING34m Ω @ 3A, 4.5V900mV @ 250μA660pF @ 10V21.7nC @ 4.5V15nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL16 ns3.4A-650mV4A0.034Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR无ROHS3 Compliant无铅---- MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6-表面贴装6-UDFN Exposed Pad---4A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012-Obsolete1 (Unlimited)---6-----2 N-Channel (Dual)-46m Ω @ 3A, 4.5V1V @ 250μA268pF @ 10V4.4nC @ 4.5V----------ROHS3 Compliant-510mW20V逻辑电平门
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PMDPB38UNE,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 | 对比 |
 | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
 | PMV28UN,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23 | 对比 |
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