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首页 全部分类 PMG370XN,115 vs DMN2019UTS-13

PMG370XN,115备选型号: DMN2019UTS-13

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  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 引脚数
  • 质量
  • 电阻
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    PMG370XN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    SILICON
    2.5V 4.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    1997
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    6
    R-PDSO-G6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    440m Ω @ 200mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    37pF @ 25V
    0.65nC @ 4.5V
    30V
    ±12V
    0.96A
    0.44Ohm
    30V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2019UTS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    -
    -
    562 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    18.5m Ω @ 7A, 10V
    950mV @ 250μA
    143pF @ 10V
    8.8nC @ 4.5V
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    表面贴装
    8
    157.991892mg
    18.5mOhm
    780mW
    DMN2019
    2
    Dual
    53 ns
    78ns
    234 ns
    5.4A
    12V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
    无铅
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