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首页 全部分类 PMGD290XN,115 vs BSD214SNH6327XTSA1

PMGD290XN,115备选型号: BSD214SNH6327XTSA1

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  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 底架
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 无卤素
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMGD290XN,115
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - PMGD290XN,115 - MOSFET ARRAY, DUAL N CHANNEL, 20V, 860MA, 6-SOT-363
    4 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    1997
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    鸥翼
    260
    30
    6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    410mW
    410mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    350m Ω @ 200mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    34pF @ 20V
    0.72nC @ 4.5V
    20V
    860mA
    0.35Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSD214SNH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin SOT-363 T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    6
    SILICON
    1.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    500mW
    -
    N-Channel
    -
    140m Ω @ 1.5A, 4.5V
    -
    143pF @ 10V
    0.8nC @ 5V
    -
    1.5A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    1.2V @ 3.7μA
    yes
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    无卤素
    7.8ns
    ±12V
    12V
    20V
    9 pF
    无铅
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