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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.336615
10
¥1.260958
100
¥1.189583
500
¥1.122248
1000
¥1.058725
Nexperia USA Inc. PMGD290XN,115
- 收藏
- 对比
PMGD290XN,115
1729-PMGD290XN,115
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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NEXPERIA - PMGD290XN,115 - MOSFET ARRAY, DUAL N CHANNEL, 20V, 860MA, 6-SOT-363
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMGD290XN,115详情
Nexperia USA Inc. PMGD290XN,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
已出版
1997
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
410mW
功率 - 最大
410mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
350m Ω @ 200mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
34pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.72nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
860mA
漏极-源极导通最大电阻
0.35Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMGD290XN,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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