PMZ350UPEYL备选型号: DMC2400UV-7

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 极性/通道类型
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度(Tj)
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMZ350UPE - 20 V, P-channel Trench MOSFET
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-101, SOT-883
    SILICON
    1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    330mOhm
    BOTTOM
    无铅
    3
    IEC-60134
    R-PBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    450m Ω @ 300mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    127pF @ 10V
    1.9nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    1A
    1A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V SOT563
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    SILICON
    1.03A 700mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    DUAL
    FLAT
    6
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    480m Ω @ 200mA, 5V
    900mV @ 250μA
    37.1pF @ 10V
    0.5nC @ 4.5V
    -
    -
    1.03A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    6
    2011
    e3
    yes
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    450mW
    DMC2400
    2
    450mW
    4.06 ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    600μm
    1.7mm
    1.25mm
    无SVHC
    无铅
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