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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.581327
10
¥0.548422
100
¥0.517379
500
¥0.488094
1000
¥0.460466
Nexperia USA Inc. PMZ350UPEYL
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- 对比
PMZ350UPEYL
1729-PMZ350UPEYL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-101, SOT-883
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PMZ350UPE - 20 V, P-channel Trench MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMZ350UPEYL详情
Nexperia USA Inc. PMZ350UPEYL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-101, SOT-883
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
360mW Ta 3.125W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
950mV @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电阻
330mOhm
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PBCC-N3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
450m Ω @ 300mA, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
127pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.9nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
1A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMZ350UPEYL拓展信息
Nexperia USA Inc.
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