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PMZ350UPEYL备选型号: NTA4151PT1
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- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 已出版
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 无铅
PMZ350UPE - 20 V, P-channel Trench MOSFET8 Weeks表面贴装表面贴装SC-101, SOT-883SILICON1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)3330mOhmBOTTOM无铅3IEC-60134R-PBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING450m Ω @ 300mA, 4.5V950mV @ 250μA127pF @ 10V1.9nC @ 4.5V20V±8V1A1A20VROHS3 Compliant------------------
MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416-表面贴装表面贴装SC-75, SOT-416SILICON760mA Tj-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)3-DUAL鸥翼3-R-PDSO-G3-增强型MOSFET-P-ChannelSWITCHING360m Ω @ 350mA, 4.5V450mV @ 250μA156pF @ 5V2.1nC @ 4.5V20V±6V760mA0.76A-Non-RoHS Compliant2006e0EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)-20V235not_compliant-760mA未说明不合格Single301mW8.2ns8.2 ns6V0.36Ohm-20V含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP21D0UFB4-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN | 对比 |
 | NDS331N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
| NTA4151PT1 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-75, SOT-416 | MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416 | 对比 |
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