您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 PMZ350UPEYL vs DMP21D0UFB4-7B

PMZ350UPEYL备选型号: DMP21D0UFB4-7B

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMZ350UPEYL
    Nexperia USA Inc.
    PMZ350UPE - 20 V, P-channel Trench MOSFET
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-101, SOT-883
    SILICON
    1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    330mOhm
    BOTTOM
    无铅
    3
    IEC-60134
    R-PBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    450m Ω @ 300mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    127pF @ 10V
    1.9nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    1A
    1A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP21D0UFB4-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    SILICON
    770mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    BOTTOM
    -
    3
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    495m Ω @ 400mA, 4.5V
    700mV @ 250μA
    80pF @ 10V
    1.54nC @ 8V
    20V
    ±8V
    1.17A
    0.86A
    -
    ROHS3 Compliant
    Gold
    3
    2012
    e4
    yes
    EAR99
    HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
    260
    40
    1
    Single
    990mW
    7.1 ns
    8ns
    18.5 ns
    8V
    0.4Ohm
    -20V
    350μm
    1.05mm
    650μm
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMP21D0UFB4-7B DMP21D0UFB4-7B Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 3-XFDFN MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN 对比
NDS331N NDS331N ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R 对比
NTA4151PT1 NTA4151PT1 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SC-75, SOT-416 MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416 对比