PMZ350UPEYL备选型号: NDS331N
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- PMZ350UPE - 20 V, P-channel Trench MOSFET8 Weeks表面贴装表面贴装SC-101, SOT-883SILICON1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)3330mOhmBOTTOM无铅3IEC-60134R-PBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING450m Ω @ 300mA, 4.5V950mV @ 250μA127pF @ 10V1.9nC @ 4.5V20V±8V1A1A20VROHS3 Compliant---------------------------
- Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R10 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON1.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)3160mOhmDUAL鸥翼----增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING160m Ω @ 1.5A, 4.5V1V @ 250μA162pF @ 10V5nC @ 4.5V-±8V1.3A--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 3 days ago)330mg1998e3yesEAR99Tin (Sn)20V1.3A1Single500mW5 ns25ns5 ns700mV8V20V150°C700 mV1.22mm2.92mm1.4mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP21D0UFB4-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN | 对比 |
![]() | NDS331N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
| NTA4151PT1 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-75, SOT-416 | MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416 | 对比 |





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