PQMD2Z备选型号: FJV4113RMTF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 基本部件号
- 资历状况
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 宽度
- 长度
- 高度
- 无铅
- TRANS NPN/PNP RET 6DFN4 Weeks表面贴装表面贴装6-XFDFN Exposed PadSILICON50VTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101活跃1 (Unlimited)6BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1230mW无铅未说明未说明6AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-N6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTORCOLLECTOR230mWSWITCHINGNPN和PNP1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)150mV100mA60 @ 5mA 5V1μA150mV @ 500μA, 10mA230MHz230MHz 180MHz22k Ω22k ΩROHS3 Compliant----------------------------
- Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/2.2K 47K2 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-68Tape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)3-200mW鸥翼未说明未说明------SWITCHING-PNP - Pre-Biased50V100mA68 @ 5mA 5V100nA ICBO300mV @ 500μA, 10mA200MHz200MHz2.2 k Ω47 k ΩROHS3 CompliantLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)330mg-300mV2013e3yesEAR99Tin (Sn)150°C-55°C8541.21.00.95-50VDUAL-100mAFJV4113不合格PNPSingle200mW50V-50V-10V-100mA1.3mm2.92mm930μm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RN2101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-75, SOT-416 | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | 对比 | |
| FJX4006RTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | Transistors Switching - Resistor Biased PNP Si Transistor Epitaxial | 对比 | |
![]() | PQMH10Z | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 6-XFDFN Exposed Pad | TRANS NPN/NPN RET 6DFN | 对比 |




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