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首页 全部分类 PSMN013-60YLX vs BSC110N06NS3GATMA1

PSMN013-60YLX备选型号: BSC110N06NS3GATMA1

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
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  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN013-60YLX
    Nexperia USA Inc.
    PSMN013-60YL - N-channel 60 V, 13 mO logic level MOSFET in LFPAK56
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    SILICON
    53A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    4
    IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 15A, 10V
    2.1V @ 1mA
    2603pF @ 25V
    33.2nC @ 10V
    60V
    ±20V
    53A
    MO-235
    0.015Ohm
    212A
    60V
    42.7 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC110N06NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    -
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    8
    -
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 23μA
    2700pF @ 30V
    33nC @ 10V
    -
    ±20V
    50A
    -
    -
    200A
    -
    22 mJ
    ROHS3 Compliant
    8
    OptiMOS™
    e3
    no
    EAR99
    Tin (Sn)
    not_compliant
    不合格
    2.5W
    10 ns
    无卤素
    77ns
    6 ns
    12V
    60V
    含铅
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