PSMN013-60YLX备选型号: STL50DN6F7
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 系列
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 无铅
- PSMN013-60YL - N-channel 60 V, 13 mO logic level MOSFET in LFPAK5612 Weeks表面贴装表面贴装SC-100, SOT-669SILICON53A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)4雪崩 额定SINGLE鸥翼未说明未说明4IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING13m Ω @ 15A, 10V2.1V @ 1mA2603pF @ 25V33.2nC @ 10V60V±20V53AMO-2350.015Ohm212A60V42.7 mJROHS3 Compliant------------
- MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT-表面贴装表面贴装8-PowerVDFNSILICON57A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)6--FLAT260未说明--R-PDSO-F6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN2 N-Channel (Dual)SWITCHING11m Ω @ 7.5A, 10V4V @ 250μA1035pF @ 30V17nC @ 10V60V-57A-0.011Ohm-60V-ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)8STripFET™e3EAR99Matte Tin (Sn)62.5Wnot_compliantSTL50METAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R | 对比 |
![]() | STL50DN6F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT | 对比 |
![]() | DMT6009LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 | 对比 |






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