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首页 全部分类 PSMN0R7-25YLDX vs NVMFS4C01NWFT3G

PSMN0R7-25YLDX备选型号: NVMFS4C01NWFT3G

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN0R7-25YLDX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 25V LFPAK56
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1023, 4-LFPAK
    4
    SILICON
    300A Tc
    2.2V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    0.72m Ω @ 25A, 10V
    8320pF @ 12V
    110.2nC @ 10V
    25V
    ±20V
    300A
    0.00092Ohm
    25V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS4C01NWFT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
    38 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    49A Ta 319A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    -
    DUAL
    FLAT
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    -
    0.9m Ω @ 30A, 10V
    10144pF @ 15V
    139nC @ 10V
    30V
    ±20V
    319A
    0.00095Ohm
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    AEC-Q101
    R-PDSO-F5
    900A
    not_compliant
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