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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.045283
10
¥14.193663
100
¥13.390248
500
¥12.63231
1000
¥11.917273
Nexperia USA Inc. PSMN0R7-25YLDX
- 收藏
- 对比
PSMN0R7-25YLDX
1729-PSMN0R7-25YLDX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-1023, 4-LFPAK
大陆
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MOSFET N-CH 25V LFPAK56
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PSMN0R7-25YLDX详情
Nexperia USA Inc. PSMN0R7-25YLDX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-1023, 4-LFPAK
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
158W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
0.72m Ω @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8320pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
110.2nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
25V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
300A
漏极-源极导通最大电阻
0.00092Ohm
DS 击穿电压-最小值
25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PSMN0R7-25YLDX拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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