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首页 全部分类 PSMN7R8-100PSEQ vs STP110N8F6

PSMN7R8-100PSEQ备选型号: STP110N8F6

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN7R8-100PSEQ
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 100V SIL3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    100A Tj
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    3
    IEC-60134
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    7.8m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 1mA
    7110pF @ 50V
    128nC @ 10V
    100V
    ±20V
    100A
    TO-220AB
    0.0078Ohm
    473A
    100V
    315 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP110N8F6
    STMicroelectronics
    Single N-Channel 80 V 200 W 150 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    -
    -
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 55A, 10V
    4.5V @ 250μA
    9130pF @ 40V
    150nC @ 10V
    80V
    ±20V
    110A
    TO-220AB
    0.0065Ohm
    440A
    80V
    180 mJ
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    STripFET™ F6
    EAR99
    未说明
    未说明
    STP110
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