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首页 全部分类 QJD1210011 vs BUT30V

QJD1210011备选型号: BUT30V

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • VCEsat-最大值
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Powerex Inc.
    QJD1210011
    Powerex Inc.
    MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
    底座安装
    底座安装
    Module
    100A Tc
    -40°C~175°C TJ
    Bulk
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    20
    EAR99
    900W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    unknown
    R-PUFM-X20
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    25m Ω @ 100A, 20V
    5V @ 10mA
    10200pF @ 800V
    500nC @ 20V
    1200V 1.2kV
    100A
    0.025Ohm
    250A
    1200V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Silicon Carbide (SiC)
    符合RoHS标准
    -
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    -
  • STMicroelectronics
    BUT30V
    STMicroelectronics
    TRANS NPN 125V 100A ISOTOP
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    200V
    150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    R-XUFM-X3
    -
    -
    ISOLATED
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    Nickel
    4
    SILICON
    700mV
    125V
    100A
    BUT30
    Single
    250W
    NPN
    NPN
    125V
    100A
    27 @ 100A 5V
    900mV @ 10A, 100A
    200V
    7V
    0.9 V
    2200ns
    200ns
    9.1mm
    38.2mm
    25.5mm
    无SVHC
    无
    无铅
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