Powerex Inc. QJD1210011
- 收藏
- 对比
QJD1210011
1934-QJD1210011
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
Module
大陆
立即发货

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
1最小包装量--
QJD1210011详情
Powerex Inc. QJD1210011重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Bulk
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
20
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
900W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-X20
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
25m Ω @ 100A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 10mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10200pF @ 800V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
500nC @ 20V
漏源电压 (Vdss)
1200V 1.2kV
连续放电电流(ID)
100A
漏极-源极导通最大电阻
0.025Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
250A
DS 击穿电压-最小值
1200V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Silicon Carbide (SiC)
RoHS状态
符合RoHS标准
QJD1210011拓展信息









哦! 它是空的。