您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 QJD1210011 vs FMS6G10US60

QJD1210011备选型号: FMS6G10US60

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 无铅
  • Powerex Inc.
    QJD1210011
    Powerex Inc.
    MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
    底座安装
    底座安装
    Module
    100A Tc
    -40°C~175°C TJ
    Bulk
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    20
    EAR99
    900W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    unknown
    R-PUFM-X20
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    25m Ω @ 100A, 20V
    5V @ 10mA
    10200pF @ 800V
    500nC @ 20V
    1200V 1.2kV
    100A
    0.025Ohm
    250A
    1200V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Silicon Carbide (SiC)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FMS6G10US60
    ON Semiconductor
    IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA
    底座安装
    底座安装
    25PM-AA
    600V
    -40°C~150°C TJ
    Box
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    66W
    -
    -
    -
    -
    三相逆变器
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    25
    600V
    10A
    三相桥式整流器
    2.7V
    10A
    250μA
    710pF
    2.7V @ 15V, 10A
    有
    0.71nF @ 30V
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FMS6G10US60 FMS6G10US60 ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 25PM-AA IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA 对比
BUT30V BUT30V STMicroelectronics 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 SOT-227-4, miniBLOC TRANS NPN 125V 100A ISOTOP 对比
FMG2G300US60E FMG2G300US60E ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 7PM-HA Trans IGBT Module N-CH 600V 300A 7-Pin PM-HA 对比