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首页 全部分类 RCD041N25TL vs IPD5N25S3430ATMA1

RCD041N25TL备选型号: IPD5N25S3430ATMA1

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  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 最大rds
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  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源电阻
  • ROHM Semiconductor
    RCD041N25TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
    10 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3
    SILICON
    1
    Cut Tape (CT)
    2014
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    850mW
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    250V
    N-CHANNEL
    4A
    4A
    350pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.3 Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD5N25S3430ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 250V 5A 3-Pin TO-252 T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    5A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    250V
    -
    5A
    -
    422pF
    -
    430 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    表面贴装
    3
    PG-TO252-3-313
    -55°C~175°C TJ
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    175°C
    -55°C
    3 ns
    N-Channel
    430mOhm @ 5A, 10V
    4V @ 13μA
    无卤素
    422pF @ 25V
    6.2nC @ 10V
    2ns
    ±20V
    5 ns
    20V
    250V
    370mOhm
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