ROHM Semiconductor RCD041N25TL

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

850mW

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

250V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

4A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

输入电容

350pF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大rds

1.3 Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅