RGT8NS65DGTL备选型号: SGW23N60UFDTM
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- JESD-30代码
- 元素配置
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- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 功率耗散
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 开关能量
- 无铅
- IGBT 650V 8A 65W TO-263S17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.946308gSILICON650V1.65V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)2EAR9965W鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard65W电源控制N-CHANNEL650V8A40 ns650V54 ns2.1V @ 15V, 4A4A158 ns沟渠现场停车13.5nC12A17ns/69nsUnknownROHS3 Compliant----------
- IGBT 600V 23A 100W D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3--600V2.1V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)--100W-----Single-Standard100W--600V23A42 ns--2.6V @ 15V, 12A---49nC92A17ns/60ns-符合RoHS标准D2PAK150°C-55°C600V12ASG*23N60100W600V115μJ (on), 135μJ (off)无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SGW23N60UFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 23A 100W D2PAK | 对比 |
![]() | STGB3NB60FDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 6A 68W D2PAK | 对比 |
![]() | SGW5N60RUFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |




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