STMicroelectronics STGB3NB60FDT4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.4V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 3A, 10 Ω, 15V

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

锡铅

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

68W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STGB3

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

68W

输入类型

Standard

晶体管应用

MOTOR CONTROL

上升时间

60ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.4V

最大集电极电流

6A

反向恢复时间

45ns

最大击穿电压

600V

接通时间

16.5 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 3A

关断时间-标准值（toff)

535 ns

闸门收费

16nC

集极脉冲电流（Icm）

24A

Td（开/关）@25°C

12.5ns/105ns

开关能量

125μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant