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首页 全部分类 RS1E170GNTB vs FDMC7678

RS1E170GNTB备选型号: FDMC7678

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
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  • 漏源电阻
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RS1E170GNTB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
    20 Weeks
    表面贴装
    8
    70.590313mg
    1
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    150°C
    -55°C
    3W
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    SWITCHING
    4.8ns
    30V
    N-CHANNEL
    3.7 ns
    17A
    20V
    30V
    720pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    6.7mOhm
    6.7 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMC7678
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
    23 Weeks
    表面贴装
    8
    180mg
    17.5A Ta 19.5A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    S-PDSO-N5
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    SWITCHING
    4ns
    -
    -
    3 ns
    17.5A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    e4
    yes
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    31W
    N-Channel
    5.3m Ω @ 17.5A, 10V
    3V @ 250μA
    2410pF @ 15V
    39nC @ 10V
    ±20V
    1.5V
    MO-240BA
    0.0053Ohm
    70A
    54 mJ
    750μm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
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