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首页 全部分类 RS1E170GNTB vs FDMS0312AS

RS1E170GNTB备选型号: FDMS0312AS

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  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    RS1E170GNTB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
    20 Weeks
    表面贴装
    8
    70.590313mg
    1
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    150°C
    -55°C
    3W
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    SWITCHING
    4.8ns
    30V
    N-CHANNEL
    3.7 ns
    17A
    20V
    30V
    720pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    6.7mOhm
    6.7 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS0312AS
    ON Semiconductor
    MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/Server
    26 Weeks
    表面贴装
    8
    74mg
    18A Ta 22A Tc
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    -
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    SWITCHING
    2.3ns
    -
    -
    6 ns
    18A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®, SyncFET™
    e3
    yes
    N-Channel
    5m Ω @ 18A, 10V
    3V @ 1mA
    1815pF @ 15V
    31nC @ 10V
    ±20V
    MO-240AA
    22A
    0.005Ohm
    100A
    33 mJ
    1mm
    6mm
    5mm
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