RS1E170GNTB
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ROHM Semiconductor RS1E170GNTB

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型号

RS1E170GNTB

utmel 编号

2078-RS1E170GNTB

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

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RS1E170GNTB
RS1E170GNTB ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

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RS1E170GNTB详情

ROHM Semiconductor RS1E170GNTB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    8

  • 质量

    70.590313mg

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    27 ns

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2016

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    3W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F5

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 上升时间

    4.8ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    3.7 ns

  • 连续放电电流(ID)

    17A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 输入电容

    720pF

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    6.7mOhm

  • 最大rds

    6.7 mΩ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & RS1E170GNTB相似的参数规格。

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RS1E170GNTB拓展信息

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RVQ040N05TR
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