RTQ020N03TR备选型号: DMP3105LVT-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 通道数量
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET N-CH 30V 2A TSMT620 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2006e1yes活跃1 (Unlimited)6EAR9930VDUAL鸥翼2602A106SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.25W8 nsN-ChannelSWITCHING125m Ω @ 2A, 4.5V1.5V @ 1mA135pF @ 10V3.3nC @ 4.5V11ns11 ns2A1.5V12V2A0.194Ohm30V8A无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----------
- MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT2615 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON3.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99-DUAL鸥翼260-40--增强型MOSFET1.75W9.7 nsP-ChannelSWITCHING75m Ω @ 4.2A, 10V1.5V @ 250μA839pF @ 15V19.8nC @ 10V17.7ns64 ns3.9A-12V----无SVHC无ROHS3 Compliant无铅75mOhmMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY1Single30V±12V30V900μm2.9mm1.6mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC6561AN | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6 | 对比 | |
![]() | DMP3105LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 | 对比 |
![]() | IRLMS5703TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP | 对比 |




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