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RTQ020N03TR备选型号: FDC6561AN
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 系列
- 电阻
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 功率 - 最大
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT620 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2006e1yes活跃1 (Unlimited)6EAR9930VDUAL鸥翼2602A106SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.25W8 nsN-ChannelSWITCHING125m Ω @ 2A, 4.5V1.5V @ 1mA135pF @ 10V3.3nC @ 4.5V11ns11 ns2A1.5V12V2A0.194Ohm30V8A无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----------------
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT610 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2017e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9930V-鸥翼-2.5A---增强型MOSFET960mW6 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING95m Ω @ 2.5A, 10V3V @ 250μA220pF @ 15V3.2nC @ 5V10ns10 ns2.5A-20V--30V-无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)TinPowerTrench®95mOhm逻辑电平兼容960mW30VDual24A700mW30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.8 V1mm3mm1.7mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC6561AN | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6 | 对比 |
 | DMP3105LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 | 对比 |
 | IRLMS5703TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP | 对比 |
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