RW1C015UNT2R备选型号: DMP2104V-7
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 质量
- 系列
- 电阻
- 附加功能
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT610 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SILICON1.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2013e2yes不用于新设计1 (Unlimited)6EAR99Tin/Copper (Sn/Cu)DUALFLAT260106SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET5 nsN-ChannelSWITCHING180m Ω @ 1.5A, 4.5V1V @ 1mA110pF @ 10V1.8nC @ 4.5V5ns20V±10V3 ns1.5A10V0.24Ohm20V无ROHS3 Compliant无铅--------------
- MOSFET -20V -860mA-表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SILICON2.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99-DUALFLAT260406-增强型MOSFET-P-ChannelSWITCHING150m Ω @ 950mA, 4.5V1V @ 250μA320pF @ 16V--20V±12V--950mA12V--无ROHS3 Compliant无铅Tin3.005049mgAutomotive, AEC-Q101150mOhmHIGH RELIABILITY1Single170mW-1V-20V1.2mm1.6mm600μm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP2104V-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET -20V -860mA | 对比 |
| MCH6660-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6 | 对比 | |
| FDC6306P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 | 对比 |



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