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SGW5N60RUFDTM备选型号: IRG4BC20KD-SPBF
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 正向电流
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 接通时间
- 最大正向浪涌电流（Ifsm）
- 关断时间-标准值（toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3600V2.5VTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C600V60W5ASingle60WStandard600V8A55 ns2.8V @ 15V, 5A16nC15A13ns/34ns88μJ (on), 107μJ (off)符合RoHS标准无铅---------------------------------
IGBT 600V 16A 60W D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3600V2.27VTube最后一次购买1 (Unlimited)--600V60W16ASingle60WStandard2.8V16A37 ns2.8V @ 15V, 9A34nC-54ns/180ns340μJ (on), 300μJ (off)ROHS3 Compliant无铅18 Weeks2gSILICON-55°C~150°C TJ2000e32SMD/SMTEAR99Matte Tin (Sn)超快软恢复鸥翼26030IRG4BC20KD-SPBFR-PSSO-G2COLLECTOR54 ns7AMOTOR CONTROL37nsN-CHANNEL88 ns32A380 ns20V6V110ns4.83mm10.668mm4.826mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRGS4B60KD1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 11A 63W D2PAK | 对比 |
| IRG4BC20KDSTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 16A 60W D2PAK | 对比 |
 | STGB3NB60FDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 6A 68W D2PAK | 对比 |
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