Infineon Technologies IRG4BC20KD-SPBF

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

2g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.27V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 9A, 50 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

180 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

超快软恢复

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

60W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

16A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

IRG4BC20KD-SPBF

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

60W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

54 ns

正向电流

7A

晶体管应用

MOTOR CONTROL

上升时间

37ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.8V

最大集电极电流

16A

反向恢复时间

37 ns

接通时间

88 ns

最大正向浪涌电流（Ifsm）

32A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.8V @ 15V, 9A

关断时间-标准值（toff)

380 ns

闸门收费

34nC

Td（开/关）@25°C

54ns/180ns

开关能量

340μJ (on), 300μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

110ns

高度

4.83mm

长度

10.668mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅